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PBSS4130T中文资料30 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS4130T

参数属性

PBSS4130T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 1A TO236AB

功能描述

30 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-8 23:00:00

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PBSS4130T规格书详情

描述 Description

NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters. PNP complement: PBSS5130T.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements
• Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Power management
• DC/DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting.

• Peripheral driver
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS4130T

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SOT23

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.3 x 1

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :300

  • VCEO [max] (V)

    :30

  • IC [max] (mA)

    :1000

  • hFE [min]

    :350

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :100

  • Automotive qualified

    :Y

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