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PBSS4112PANP规格书详情
描述 Description
NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4112PANP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN/PNP
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：120
- IC [max] (A)
：1
- VCEsat [max] (NPN) (mV)
：220
- VCEsat [max] (PNP) (mV)
：-480
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：440
- hFE [min]
：240
- fT [typ] (MHz)
：120
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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标准封装 |
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