首页>PBSS4112PANP>规格书详情
PBSS4112PANP中文资料120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS4112PANP规格书详情
描述 Description
NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4112PANP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN/PNP
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：120
- IC [max] (A)
：1
- VCEsat [max] (NPN) (mV)
：220
- VCEsat [max] (PNP) (mV)
：-480
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：440
- hFE [min]
：240
- fT [typ] (MHz)
：120
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
恩XP |
2450+ |
DFN2020-6 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
DFN2020-6 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1118 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT1118 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Nexperia |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
