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PBSS4112PAN中文资料120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS4112PAN规格书详情
描述 Description
NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4112PANP. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4112PAN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：120
- IC [max] (A)
：1
- VCEsat [max] (NPN) (mV)
：220
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：240
- hFE [min]
：240
- fT [typ] (MHz)
：120
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
12 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2450+ |
DFN-2020-6 |
9850 |
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恩XP |
24+ |
SOT-223 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
LQFP32 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
PBSS4112PAN |
3000 |
3000 |
询价 | ||||
恩XP |
21+ |
SOT-223 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
DFN2020-6 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
原装 |
600000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1118 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
