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PBSS4112PANP	文件：344.79 Kbytes Page：21 Pages	120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP. Features and benefits • Very low collector-emitte 文件：344.79 Kbytes 页数：21 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4112PANP	文件：854.28 Kbytes Page：21 Pages	丝印：2T；Package：DFN2020-6；120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP. 1.2 Features and benefits • Very low colle 文件：854.28 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4112PANP-Q	文件：358.15 Kbytes Page：21 Pages	丝印：2T；Package：DFN2020-6；120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor 1. General description NPN/PNP low VCEsat transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN-Q 2. Features and benefits • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capa 文件：358.15 Kbytes 页数：21 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4112PANP_15	文件：344.79 Kbytes Page：21 Pages	120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：344.79 Kbytes 页数：21 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4112PANP	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description\nNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\nNPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.Features and benefits\n• Very low collector-emitter sa	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS4112PANP	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP. • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• High efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4112PANP-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor NPN/PNP low VCEsat transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN/NPN complement: PBSS4112PAN-Q	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
1040
VCEO [max] (V)：
120
IC [max] (A)：
1
VCEsat [max] (NPN) (mV)：
220
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-480
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
440
hFE [min]：
240
fT [typ] (MHz)：
120

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