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PBSS4112PANP中文资料120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书
PBSS4112PANP规格书详情
描述 Description
General description
NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.Features and benefits
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
技术参数
- 型号：
PBSS4112PANP
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
恩XP |
2450+ |
DFN2020-6 |
9850 |
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恩XP |
24+ |
DFN2020-6 |
42000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1118 |
860000 |
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恩XP |
23+ |
NA |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
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原装正品 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
N/A |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT1118 |
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Nexperia |
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