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PBSS4130PAN中文资料30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS4130PAN规格书详情
描述 Description
NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4130PAN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：30
- IC [max] (A)
：1
- VCEsat [max] (NPN) (mV)
：190
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：190
- hFE [min]
：240
- fT [typ] (MHz)
：165
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
6038 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT1118 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
询价 |
