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PBSS4021PZ-Q	文件：377.36 Kbytes Page：15 Pages	丝印：PB4021PZ；Package：SOT223；20 V, 6.6 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4021NZ-Q 2. Features and benefits • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • Hig 文件：377.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4021PZ-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 6.6 A PNP low VCEsat transistor PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4021NZ-Q	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4021SN	文件：175.14 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 7.5 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 文件：175.14 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4021SN	文件：854.4 Kbytes Page：15 Pages	20 V, 7.5 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional tr 文件：854.4 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4021SP	文件：1.08979 Mbytes Page：15 Pages	20 V, 6.3 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High col 文件：1.08979 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
2600
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (A)：
-6.6
ICM [max] (A)：
-20
hFE [min]：
250
hFE [typ]：
400
fT [typ] (MHz)：
85
VCEsat [max] (mV)：
-240

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更多PBSS4021PZ-Q供应商更新时间2025-12-4 10:24:00

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