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PBSS4021SP	文件：1.08979 Mbytes Page：15 Pages	丝印：4021SP；Package：SO8；20 V, 6.3 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High col 文件：1.08979 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021SPN	文件：874.03 Kbytes Page：20 Pages	丝印：4021SPN；Package：SO8；20 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional tr 文件：874.03 Kbytes 页数：20 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021SPN	文件：223.41 Kbytes Page：20 Pages	20 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：223.41 Kbytes 页数：20 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4021SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4021SP - 20 V, 6.3 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 6.3 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor - PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. ·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4021SPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4021SPN - 20 V NPN/PNP low V_CEsat (BISS) transistor 20 V NPN/PNP low V_CEsat (BISS) transistor - NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. ·Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT96-1
Package name：
SO8
Size (mm)：
4.9 x 3.9 x 1.75
Product status：
Production
Polarity：
PNP
number of transistors：
2
P_tot [max] (mW)：
1399.9999999999999
V_CEO [max] (V)：
-20
I_C [max] (A)：
-6.3
V_CEsat [max] (PNP) (mV)：
-350
R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)：
53.999999999999999
h_FE [min]：
250
f_T [typ] (MHz)：
105

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