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PBSS302ND-Q中文资料40 V, 4 A NPN low VCEsat transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS302ND-Q规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
• Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• 4 A continuous collector current capability IC
• Up to 15 A peak current
• Very low collector-emitter saturation resistance
• High efficiency due to less heat generation
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
Power management functions
Charging circuits
DC-to-DC conversion
MOSFET gate driving
Power switches (e.g. motors, fans)
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
技术参数
- 制造商编号
：PBSS302ND-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot [max] (mW)
：360
- VCEO [max] (V)
：40
- IC [max] (A)
：4
- ICM [max] (A)
：15
- hFE [min]
：300
- hFE [typ]
：500
- fT [typ] (MHz)
：150
- VCEsat [max] (mV)
：450
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
1000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT89 |
7350 |
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恩XP |
24+ |
SOT-89 |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
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恩XP |
24+ |
SOT89 |
880000 |
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恩XP |
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SOT-89 |
43000 |
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恩XP |
21+ |
SOT89 |
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恩XP |
SOT89 |
23+ |
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恩XP |
SOT89 |
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恩XP |
24+ |
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