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PBRN113E	文件：777.77 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features 800mAoutputcurrentcapability Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat HighcurrentgainhFE Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113E	文件：159.45 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 1 k?	ETC	ETC
PBRN113E_SER	文件：777.77 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features 800mAoutputcurrentcapability Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat HighcurrentgainhFE Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113EK	文件：777.77 Kbytes Page：17 Pages	丝印：G1；Package：SC-59A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features 800mAoutputcurrentcapability Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat HighcurrentgainhFE Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ES	文件：777.77 Kbytes Page：17 Pages	丝印：N113ES；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features 800mAoutputcurrentcapability Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat HighcurrentgainhFE Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ET	文件：268.4 Kbytes Page：12 Pages	丝印：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ET	文件：777.77 Kbytes Page：17 Pages	丝印：7G；Package：SOT23；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features 800mAoutputcurrentcapability Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat HighcurrentgainhFE Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ET-Q	文件：270.15 Kbytes Page：13 Pages	丝印：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113EK	文件：159.45 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 1 k?	ETC	ETC
PBRN113ES	文件：159.45 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 1 k?	ETC	ETC

详细参数

型号：
PBRN113E
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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