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PBRN113ET-Q	文件：270.15 Kbytes Page：13 Pages	40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113Z	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113Z	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113Z_SER	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZK	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZK	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZS	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZS	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZT	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZT	文件：271.43 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZT	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZT-Q	文件：273.06 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP113ET	文件：118.82 Kbytes Page：12 Pages	PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=1kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRP113ET	文件：266.62 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP113ET-Q	文件：268.4 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP113ZT	文件：114.88 Kbytes Page：12 Pages	PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRP113ZT	文件：270.46 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ZT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP113ZT-Q	文件：272.11 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ZT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC113	文件：380.48 Kbytes Page：14 Pages	StepUpConverterforWhiteLEDDriver	SITI Silicon Touch Technology Inc.	SITI
PC113	文件：299.51 Kbytes Page：3 Pages	PC113	PICKER Picker Components	PICKER

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更多PBRN113ET-Q供应商更新时间2024-9-21 15:00:00

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