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PBRN113ET-Q	文件：270.15 Kbytes Page：13 Pages	Marking：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113Z	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113Z	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113Z_SER	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZK	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZK	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZS	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZS	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN113ZT	文件：162.13 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBRN113ZT	文件：271.43 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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