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PBRN113ET-Q中文资料40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ数据手册Nexperia规格书
PBRN113ET-Q规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBRP113ET-Q
特性 Features
• 600 mA output current capability
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• ± 10 % resistor ratio tolerance
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
技术参数
- 制造商编号
：PBRN113ET-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- IC [max] (mA)
：600
- R1 (typ) (kΩ)
：1
- R2 (typ) (kΩ)
：1
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
05+ |
SOT23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
NA |
8486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
PHI |
25+ |
ST23-3 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
PHI |
2023+ |
SMD |
16000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
LINEAR/凌特 |
23+ |
MSOP8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
6000 |
询价 | ||||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT23 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
