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N113ES

型号:PBRN113ES;Package:SC-43A;NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

Features * 800 mA output current capability * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High current gain hFE * Reduces component count * Built-in bias resistors * Reduces pick and place costs * Simplifies circuit design * ±10 resistor ratio tolerance

文件:777.77 Kbytes 页数:17 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    N113ES

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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