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N113ZS	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	型号：PBRN113ZS；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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文件：741.87 Kbytes

Page：17 Pages

型号：PBRN113ZS；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
N113ZS
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多N113ZS供应商更新时间2025-8-2 10:08:00

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