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PBRN113ZS中文资料安世数据手册PDF规格书

PBRN113ZS
厂商型号

PBRN113ZS

功能描述

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

丝印标识

N113ZS

封装外壳

SC-43A

文件大小

741.87 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 8:24:00

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PBRN113ZS规格书详情

特性 Features

* 800 mA output current capability

* High current gain hFE

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Low collector-emitter saturation voltage

VCEsat

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

* ±10 resistor ratio tolerance

产品属性

  • 型号:

    PBRN113ZS

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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