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N1N20	文件：515.2 Kbytes Page：12 Pages	型号：STN1N20；Package：SOT-223；N-channel 200 V, 1.2 Ω, 1 A, SOT-223 MESH OVERLAY™ Power MOSFET Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthelatesthighvoltageMESH OVERLAY™process.ThenewpatentedSTrip layoutcoupledwiththecompany’sproprietary edgeterminationstructure,makesitsuitablein convertersforlightingapplications. Features ■100a	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N1N20

文件：515.2 Kbytes

Page：12 Pages

型号：STN1N20；Package：SOT-223；N-channel 200 V, 1.2 Ω, 1 A, SOT-223 MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthelatesthighvoltageMESH OVERLAY™process.ThenewpatentedSTrip layoutcoupledwiththecompany’sproprietary edgeterminationstructure,makesitsuitablein convertersforlightingapplications. Features ■100a

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
N1N20
功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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