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PR6002-T

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

PSEK6002

FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

POWERSEM

Powersem GmbH,

PTC6002

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R6002END

Nch600V2APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6002END

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

R6002ENH

Nch600V2APowerMOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6002DPD

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6002DPD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

RJK6002DPD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    P6002SALP

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 晶闸管

  • 系列:

    TwinChip™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 电压 - 导通:

    700V

  • 电压 - 断态:

    550V

  • 电容:

    20pF

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AA,SMB

  • 描述:

    THYRISTOR 550V 150A DO214AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Littelfuse
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更多P6002SALP供应商 更新时间2025-7-26 15:14:00