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OPA4140AIPWR	文件：2.85372 Mbytes Page：48 Pages	OPAx140High-Precision,Low-Noise,Rail-to-RailOutput,11-MHz,JFETOpAmp	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA4140AIPWR	文件：2.3877 Mbytes Page：49 Pages	OPAx140High-Precision,Low-Noise,Rail-to-RailOutput,11-MHz,JFETOpAmps 1Features •Very-lowoffsetdrift:1μV/°Cmaximum •Very-lowoffset:120μV •Lowinputbiascurrent:10pAmaximum •Very-low1/fnoise:250nVPP,0.1Hzto10Hz •Lownoise:5.1nV/√Hz •Slewrate:20V/μs •Lowsupplycurrent:2mAmaximum •InputvoltagerangeincludesV–supply •	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PBSS4140DPN	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140DPN	文件：76.82 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatNPN/PNPtransistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinanSC-74(SOT457)plasticpackage. FEATURES •600mWtotalpowerdissipation •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacestwoSOT23packaged	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140DPN	文件：585.6 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatNPN/PNPtransistor FEATURES •600mWtotalpowerdissipation •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacestwoSOT23packagedlowVCEsattransistorsonsamePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecos	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140S	文件：60.43 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •1Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgener	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140S	文件：781.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features HighPC,lowVCE(sat),highcurrentswitching. Applications Mediumpowerswitchingandmuting,linearregulators,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4140SH	文件：528.57 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVCE(SAT)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS4140SW	文件：547.63 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVCE(SAT)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS4140T	文件：670.65 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
OPA4140AIDR
功能描述：
运算放大器 - 运放 11MHz,Sgl Supply,Lo Noise,Prec,R-R Out
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	OPA4140AIDR	TI/德州仪器	23+	SOIC14	18204	原装正品代理渠道价格优势	询价
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更多OPA4140AIDR供应商更新时间2025-7-23 15:16:00

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