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PBSS5250T	文件：329.89 Kbytes Page：8 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250TH	文件：248.7 Kbytes Page：14 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollector	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250TH-Q	文件：264.6 Kbytes Page：13 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athigh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250X	文件：47.07 Kbytes Page：8 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4250X. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprin	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5250X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5250X	文件：83.32 Kbytes Page：9 Pages	50V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES ·SOT89(SC-62)package ·Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ·Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ·Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ·Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ·Powermanagement –DC/DCconverters –Suppl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDCS5250V	文件：95.03 Kbytes Page：1 Pages	DC/DCPOWERMODULES2AMPADJUSTABLE	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PJBZ5250Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJLEDS5250	文件：73.55 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFICATIONFUNCTIONINFLYBACKCONVERTERFORLEDPOWER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5250B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
ON5250
功能描述：
MOSFET MOSFET RF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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