PBSS5250T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5250T |
| 参数属性 | PBSS5250T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB |
| 功能描述 | 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
329.89 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-14 22:30:00 |
| 人工找货 | PBSS5250T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5250T规格书详情
FEATURES
•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
•High collector current capability: IC and ICM
•Higher efficiency leading to less heat generation
•Reduced printed-circuit board requirements
•Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.
APPLICATIONS
•Power management
–DC/DC converters
–Supply line switching
–Battery charger
–LCD backlighting
•Peripheral drivers
–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
–Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
DESCRIPTION
PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
产品属性
- 产品编号：
PBSS5250THR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
UFQFPN20 |
6000 |
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NXP |
11+ |
SOT23 |
2800 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT23 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-457 |
8080 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT23 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT23 |
9800 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT-23 |
60000 |
原装正品现货 |
询价 |
