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PBSS5250T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS5250T

参数属性

PBSS5250T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

3H

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

329.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 16:10:00

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PBSS5250T规格书详情

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability: IC and ICM

•Higher efficiency leading to less heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements

•Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.

APPLICATIONS

•Power management

–DC/DC converters

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting

•Peripheral drivers

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5250THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

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