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PBSS5240Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5240Z
厂商型号

PBSS5240Z

参数属性

PBSS5240Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 2A SOT223

功能描述

40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

S5240Z

封装外壳

SC-73 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

717.69 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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PBSS5240Z规格书详情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4240Z

Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High energy efficiency due to less heat generation

• AEC-Q101 qualified

Applications

• DC-to-DC conversion

• Supply line switching

• Battery charger

• LCD backlighting

• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5240ZX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 2A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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