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NX3008PBK	文件：494.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：494.65 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NX3008PBK	文件：1.60734 Mbytes Page：16 Pages	丝印：KT；Package：SOT23；30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technology  ESD 文件：1.60734 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBK	文件：884.7 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET 文件：884.7 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
NX3008PBK	文件：884.7 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET 文件：884.7 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008PBKV	文件：1.61328 Mbytes Page：17 Pages	丝印：NX3008PBKV；Package：SOT666；30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET 文件：1.61328 Mbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBKMB	文件：1.65853 Mbytes Page：15 Pages	丝印：0000；Package：SOT883B；30 V, single P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFE 文件：1.65853 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBKS	文件：1.62533 Mbytes Page：17 Pages	丝印：LC；Package：SOT363；30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technolog 文件：1.62533 Mbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBKT	文件：1.15963 Mbytes Page：17 Pages	丝印：AB；Package：SOT416；30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technology  ESD pr 文件：1.15963 Mbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBKW	文件：2.26928 Mbytes Page：4 Pages	20V P-Channel MOSFET Application « Interfacing Switching « Portable equipment and battery Load Switch 文件：2.26928 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NX3008PBKW	文件：1.60624 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AB；Package：SOT323；30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technology  ESD pr 文件：1.60624 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
4100
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
6500
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.23
QGD [typ] (nC)：
0.09
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.55
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
-0.9
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
31.000002
Coss [typ] (pF)：
6.5
Release date：
2011-07-19

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