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NX3008PBKW	文件：1.60624 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AB；Package：SOT323；30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technology  ESD pr 文件：1.60624 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008PBKW	文件：2.26928 Mbytes Page：4 Pages	20V P-Channel MOSFET Application « Interfacing Switching « Portable equipment and battery Load Switch 文件：2.26928 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NX3008PBKW	文件：883.92 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET 文件：883.92 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
NX3008PBKW_15	文件：883.92 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET 文件：883.92 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008PBKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Very fast switching\n• Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 2 kV\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
NX3008PBKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET	恩XP	恩XP

技术参数

Package name：
SC-70
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
4100
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
6500
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.2
QGD [typ] (nC)：
0.09
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.55
Ptot [max] (W)：
0.26
VGSth [typ] (V)：
-0.9
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
31.000002
Coss [typ] (pF)：
6.5
Release date：
2011-07-19

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