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NX3008NBK	文件：1.60829 Mbytes Page：16 Pages	丝印：NX3008NBK；Package：TO-236AB；30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET 文件：1.60829 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKW	文件：1.60431 Mbytes Page：16 Pages	丝印：NX3008NBKW；Package：SC-70；30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 文件：1.60431 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：259.43 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0000；Package：SOT883B；30 V, single N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Low threshold voltage • Trench MOSFET t 文件：259.43 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.78151 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application + Load/Power Switching + Interfacing Switching + Battery Management for Ultra Small Portable Electronics + Logic Level Shift 文件：1.78151 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NX3008NBKS	文件：277.06 Kbytes Page：15 Pages	丝印：LB；Package：SOT363；30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology 文件：277.06 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKT	文件：1.15579 Mbytes Page：17 Pages	丝印：AA；Package：SOT416；30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Low threshold voltage  Trench MOSFET technology  ESD pr 文件：1.15579 Mbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKV	文件：252.14 Kbytes Page：14 Pages	丝印：AA；Package：SOT666；30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Low threshold voltage • Trench MOSFET tech 文件：252.14 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX3008NBKW-TP	文件：7.5701 Mbytes Page：5 Pages	丝印：KFT；Package：SOT323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Battery Management for Ultra Small Portable Electronics Logic Level Shift 文件：7.5701 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NX3008NBK_15	文件：883.09 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET 文件：883.09 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008NBKMB	文件：1.055 Mbytes Page：15 Pages	30 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：1.055 Mbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2100
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.4
QGD [typ] (nC)：
0.08
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.52
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
0.9
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
34
Coss [typ] (pF)：
6.5
Release date：
2011-07-19

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