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NX3008NBKMB	文件：1.055 Mbytes Page：15 Pages	30 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：1.055 Mbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
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NX3008NBKS	文件：902.63 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：902.63 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
NX3008NBKS_15	文件：902.63 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：902.63 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008NBKT	文件：874.28 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 文件：874.28 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
NX3008NBKT-115	文件：874.28 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 文件：874.28 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
NX3008NBKV	文件：874.8 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：874.8 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
NX3008NBKV	文件：874.8 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：874.8 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008NBKV_15	文件：874.8 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：874.8 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008NBKW_15	文件：879.46 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 文件：879.46 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2100
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.4
QGD [typ] (nC)：
0.08
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.52
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
0.9
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
34
Coss [typ] (pF)：
6.5
Release date：
2011-07-19

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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