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NX138BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET; • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
NX138BK	文件：734.94 Kbytes Page：16 Pages	丝印：BX；Package：TO-236AB；60 V, single N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKH	文件：286.09 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0001；Package：SOT8001；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKM	文件：280.6 Kbytes Page：14 Pages	丝印：6R；Package：SOT883；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006-3 (SOT883)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKM	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET; • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
NX138BKS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET; • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n; Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
NX138BKS	文件：761.1 Kbytes Page：15 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKW	文件：753.6 Kbytes Page：15 Pages	丝印：NX138BKW；Package：SC-70；60 V, N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
3500
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
3800
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
5000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.265
QGD [typ] (nC)：
0.12
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.48999998
Ptot [max] (W)：
0.31
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
20.199999
Coss [typ] (pF)：
3.1000001
Release date：
2016-01-29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NX138BK供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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