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NX138BKM	文件：280.6 Kbytes Page：14 Pages	丝印：6R；Package：SOT883；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET tec 文件：280.6 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKM	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
NX138BKS	文件：761.1 Kbytes Page：15 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：761.1 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX138BKW	文件：753.6 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET 文件：753.6 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
OMAP-L138	文件：214.18 Kbytes Page：9 Pages	High-Integration, High-Efficiency Power Solution Using DC/DC Converters With DVFS 文件：214.18 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Package name：
DFN1006-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2300
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2900
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
4800
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.38
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.38
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
20
Coss [typ] (pF)：
3.1000001
Release date：
2020-09-01

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