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NX138BKH	文件：286.09 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0001；Package：SOT8001；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te 文件：286.09 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX138BKH	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 0.62 x 0.62 x 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
UPG138	文件：64.41 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：64.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG138GV	文件：64.41 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：64.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG138GV	文件：108.73 Kbytes Page：12 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：108.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package name：
DFN0606-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2300
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2900
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
4800
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.38
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.38
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
20
Coss [typ] (pF)：
3.1000001
Release date：
2020-09-01

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