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NVD5C464N中文资料单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,59A,5.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD5C464N

参数属性

NVD5C464N 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:T6 40V DPAK EXPANSION AND

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,59A,5.8mΩ
T6 40V DPAK EXPANSION AND

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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NVD5C464N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET. 40V, 59A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low on-resistance
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche energy tested
• Voltage overstress safeguard
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant

应用 Application

• Low Side Driver
• High Side Driver
• Motor drive
• Automotive powertrain
• Automotive HVAC motors
• ABS pressure pumps

简介

NVD5C464N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVD5C464N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVD5C464N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :59

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :20

  • Ciss Typ (pF)

    :1200

  • Package Type

    :DPAK-3

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