NVD5803N数据手册ONSEMI中文资料规格书
NVD5803N规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET. 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性 Features
• Low on-resistance
• High current capability
• 100% avalanche energy tested
应用 Application
Low Side Driver High Side Driver Motor drive
技术参数
- 型号：
NVD5803N
- 功能描述：
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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