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NVD4804N中文资料功率 MOSFET,30V,117A,4mΩ,单 N 沟道,DPAK,逻辑电平数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD4804N

功能描述

功率 MOSFET,30V,117A,4mΩ,单 N 沟道,DPAK,逻辑电平

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD4804N规格书详情

描述 Description

汽车用功率 MOSFET。 30V,117A,4mΩ,单 N 沟道,DPAK,逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。

特性 Features

• Low RDS(on) to minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• These are Pb-Free Devices

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC-DC Converters
• Low Side Switching

技术参数

  • 型号:

    NVD4804N

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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