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NVD3055L170中文资料N 沟道,功率 MOSFET,逻辑电平,60V,9A,170mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD3055L170

功能描述

N 沟道,功率 MOSFET,逻辑电平,60V,9A,170mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD3055L170规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

应用 Application

• Power Supplies
• Converters
• Power Motor Controls
• Bridge Circuits

技术参数

  • 制造商编号

    :NVD3055L170

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :15

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :28.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :170

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.7

  • Ciss Typ (pF)

    :195

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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