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NVD3055L170	文件：298.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 170mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·Power Supplies ·Inductive Loads ·Power Motor Control 文件：298.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD3055L170	文件：133.3 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：133.3 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD3055L170	文件：125.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：125.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD3055L170	文件：247.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD3055L170	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，功率 MOSFET，逻辑电平，60V，9A，170mΩ Automotive Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD3055L170T4G	文件：133.3 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：133.3 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD3055L170T4G	文件：125.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：125.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
15
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
28.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
170
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.7
Ciss Typ (pF)：
195
Package Type：
DPAK-3

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