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NVC160N120SC1中文资料碳化硅MOSFET，N沟道，1200V 160 mΩ，裸芯数据手册ONSEMI规格书
NVC160N120SC1规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology
that provide superior switching performance and higher reliability
compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact
chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently,
system benefits include highest efficiency, faster operation frequency,
increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
特性 Features
• 1200 V
• TJ= 175°C
• High Speed Switching with Low Capacitance
• 100% UIL Tested
• Qualified for Automotive According to AEC−Q101
应用 Application
• On Board Charger (OBC)
• DC DC Inverter
• Automotive EV/HEV
技术参数
- 制造商编号
：NVC160N120SC1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Product Preview
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- Blocking Voltage BVDSS (V)
：1200
- ID(max) (A)
：17
- RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)
：160
- Qg Total (C)
：34
- Output Capacitance (C)
：50
- Tj Max (°C)
：175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXTCHIP |
24+ |
NA/ |
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onsemi(安森美) |
24+ |
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NEXTCHI |
24+ |
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NEXTCHIP |
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ON(安森美) |
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NEXTCHIP |
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NEXTCHIP |
23+ |
QFP144 |
3000 |
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ON(安森美) |
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