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NVBLS0D5N04CTXG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NVBLS0D5N04CTXG

参数属性

NVBLS0D5N04CTXG 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF

功能描述

Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:03:00

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NVBLS0D5N04CTXG规格书详情

描述 Description

Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel.
TO-LL package for high power density and improved thermal performance.
AEC-Q101 qualified and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low QG and Capacitance
• Minimize Driver Losses
• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• Automotive qualified
• Pb-Free and RoHS Compliant
• UIS Capability

应用 Application

• Primary Switch for 12 V Systems
• Automotive Engine Control
• Powertrain Management
• Integrated Starter / Alternator
• Solenoid and Motor Drivers
• Automotive Engine Control Unit (ECU)
• High Current Motor Driver
• 12 V Automotive System

简介

NVBLS0D5N04CTXG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVBLS0D5N04CTXG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVBLS0D5N04CTXG

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :+20/-16

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :300

  • PD Max (W)

    :198.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.57

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :185

  • Ciss Typ (pF)

    :12600

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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