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NVD5803N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:260.67 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NVD5803N

Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NVD5803N

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NVD5803N_16

Power MOSFET

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安森美半导体

NVD5803NT4G

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NVD5803N

Power MOSFET 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

Automotive Power MOSFET. 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low on-resistance\n• 100% avalanche energy tested;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5803N

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NVD5803N供应商 更新时间2025-12-3 15:26:00