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NVD5865NLT4G

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:115.31 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single N?묬hannel

文件:115.31 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.09 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD5865NLT4G

60V N -Channel MOSFET

Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:452.59 Kbytes 页数:6 Pages

UMW

友台半导体

NTD5865NLT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:108.19 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.17 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5865NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
24+
标准封装
8582
全新原装正品/价格优惠/质量保障
询价
NK/南科功率
9420
TO252
36520
国产南科平替供应大量
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VB
2022+
TO-252
12500
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A
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ON
2016+
TO-252
3900
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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ON
DPAK-3
1000
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2409
原装正品现货库存价优
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TO-252
5000
全现原装公司现货
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ON
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?
7500
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DPAK-3
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一级代理全新原装热卖
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ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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更多NVD5865NLT4G供应商 更新时间2025-12-7 9:38:00