首页>NVD5865NLT4G>规格书详情
NVD5865NLT4G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
NVD5865NLT4G
- 功能描述：
MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8582 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3372 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
2016+ |
TO-252 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
2409 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
VB |
2022+ |
TO-252 |
12500 |
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A |
询价 |
