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NVD5863NLT4G规格书详情
Features
VDS= 60 V, ID= 80 A
RDS(ON) < 6 mΩ @ VGS =10V
RDS(ON) < 7mΩ @ VGS = 4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
产品属性
- 型号：
NVD5863NLT4G
- 功能描述：
MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
26880 |
公司只有原装 |
询价 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
25158 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 |
