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NVD5862NT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件:1.09097 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

NVD5862NT4G

Power MOSFET

文件:79.92 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5862NT4G

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.08524 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

NTD5862NT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:86.99 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5862NT4G

N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m

文件:125.95 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5862NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NVD5862NT4G供应商 更新时间2026-2-9 16:10:00