Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel SOT??23

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel SOT??23

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ONSEMI

安森美半导体

Atomic EFI Install Kit LS1 and LS6, EV1 Injector

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MALLORY

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -60V ■ Low RDS(ON) : 0.22 Ω (Typ.)

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc P-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电