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NVD5863NLT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60 V, ID= 80 A RDS(ON)

文件:1.63693 Mbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

NVD5863NLT4G

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:138.5 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5863NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:996.8 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5865NLT4G

TO-252

VB

NVD5C464NT4G

安森美半导体

上传:深圳市微纪元电子有限公司

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5863NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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onsemi(安森美)
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更多NVD5863NLT4G供应商 更新时间2025-12-13 16:12:00