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NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other

文件:217.46 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK

文件:116.93 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5890NT4G-VF01

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other

文件:217.46 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5890NT4G-VF01

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5890NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-252
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更多NVD5890NT4G供应商 更新时间2025-10-4 11:03:00