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NVD5867NLT4G	文件：77.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD5867NLT4G	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability • VDS(V)=60V ID=20A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
SVD5867NLT4G	文件：77.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NVD5867NLT4G
功能描述：
MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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