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NVD5806N中文资料Power MOSFET 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK.数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD5806N

功能描述

Power MOSFET 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD5806N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET. 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• Suitable for Automotive Applications
• Low RDS(on)
• High Current Capability
• Avalanche Energy Specified
• RoHS Compliant

应用 Application

• CCFL Backlight
• DC Motor Control
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification
• CCFL Backlight
• DC Motor Control
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification

技术参数

  • 制造商编号

    :NVD5806N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :33

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :26

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :19

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :17

  • Ciss Typ (pF)

    :860

  • Package Type

    :DPAK-3

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