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|---|---|---|---|---|
NVD5806N | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.589 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
NVD5806N | Power MOSFET 文件：84.83 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Power MOSFET 文件：84.83 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NVD5806N | Power MOSFET 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK. Automotive Power MOSFET. 40V, 33A, 19 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• Suitable for Automotive Applications\n• Low RDS(on)\n• High Current Capability\n• Avalanche Energy Specified\n• RoHS Compliant; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- AEC Qualified：
A
- Halide free：
H
- PPAP Capablee：
P
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Single
- V(BR)DSS Min (V)：
40
- VGS Max (V)：
20
- VGS(th) Max (V)：
2.5
- ID Max (A)：
33
- PD Max (W)：
40
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
26
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
19
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17
- Ciss Typ (pF)：
860
- Package Type：
DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
100517 |
询价 | |||
ON |
25+ |
TO-252 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VB |
21+ |
DPAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
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