NVD5890N数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
NVD5890N |
参数属性 | NVD5890N 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A |
功能描述 | 功率 MOSFET,40V,123A,3.7mΩ,单 N 沟道,DPAK |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 10:30:00 |
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NVD5890N规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性 Features
Low RDS(on)
Minimizes conduction losses
High current capability
Provides robust load driving performance
AEC-Q101 Qualified
Suitable for use in Automotive systems
100% Avalanche engergy tested
Safeguards against voltage overstress failure
应用 Application
Motor DriversAutomotive Pump Drivers
Automotive Braking systemsAutomotive Steering systems
简介
NVD5890N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVD5890N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:NVD5890N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: Power MOSFET 40V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:40
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3.5
- ID Max (A)
:123
- PD Max (W)
:107
- GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3.7
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:74
- Ciss Typ (pF)
:4975
- Package Type
:DPAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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TO252 |
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