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NVD5890N中文资料功率 MOSFET,40V,123A,3.7mΩ,单 N 沟道,DPAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD5890N

参数属性

NVD5890N 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

功能描述

功率 MOSFET,40V,123A,3.7mΩ,单 N 沟道,DPAK
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD5890N规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

Low RDS(on)
Minimizes conduction losses
High current capability
Provides robust load driving performance
AEC-Q101 Qualified
Suitable for use in Automotive systems
100% Avalanche engergy tested
Safeguards against voltage overstress failure

应用 Application

Motor DriversAutomotive Pump Drivers
Automotive Braking systemsAutomotive Steering systems

简介

NVD5890N属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVD5890N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVD5890N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Power MOSFET 40V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :123

  • PD Max (W)

    :107

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.7

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :74

  • Ciss Typ (pF)

    :4975

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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