NVD5807N数据手册ONSEMI中文资料规格书
NVD5807N规格书详情
描述 Description
汽车功率 MOSFET。NVD58xxN 系列是 40V 沟槽 N 沟道功率 MOSFET，非常适合汽车、LCD 背景灯、LED 驱动器和辅助电源，其中 RDS(on) 性能和行业标准封装至关重要。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
特性 Features
• Low RDS(on)
• High Current Capability
• Avalanche Energy Specified
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant
应用 Application
• CCFL Backlight
• DC Motor Control
• Class D Amplifier
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification
技术参数
- 制造商编号
：NVD5807N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：23
- PD Max (W)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：31
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12.6
- Ciss Typ (pF)
：603
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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