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NVD5807N中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 40V,23A,31mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD5807N

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 40V,23A,31mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD5807N规格书详情

描述 Description

汽车功率 MOSFET。NVD58xxN 系列是 40V 沟槽 N 沟道功率 MOSFET,非常适合汽车、LCD 背景灯、LED 驱动器和辅助电源,其中 RDS(on) 性能和行业标准封装至关重要。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。

特性 Features

• Low RDS(on)
• High Current Capability
• Avalanche Energy Specified
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant

应用 Application

• CCFL Backlight
• DC Motor Control
• Class D Amplifier
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification

技术参数

  • 制造商编号

    :NVD5807N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :23

  • PD Max (W)

    :33

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :31

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.6

  • Ciss Typ (pF)

    :603

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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