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NVD5890N	文件：217.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other 文件：217.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890N	文件：298.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Power Supplies ·Inductive Loads ·Power Motor Control 文件：298.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5890N	文件：116.93 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK 文件：116.93 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NL	文件：260.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5890NL	文件：298.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Power Supplies ·Inductive Loads ·Power Motor Control 文件：298.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5890NT4G	文件：217.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other 文件：217.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NT4G-VF01	文件：217.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • MSL 1/260°C • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable • 100 Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drivers • Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other 文件：217.46 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NL	文件：100.68 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK 文件：100.68 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NLT4G	文件：100.68 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK 文件：100.68 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NT4G	文件：116.93 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK 文件：116.93 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 40V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
123
PD Max (W)：
107
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
4975
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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