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NVD5890N分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

NVD5890N

参数属性

NVD5890N 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

298.38 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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更新时间

2025-11-26 23:00:00

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NVD5890N规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Power Supplies

·Inductive Loads

·Power Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    NVD5890NT4G-VF01

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

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