NVD5890N分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
NVD5890N规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Power Supplies
·Inductive Loads
·Power Motor Control
产品属性
- 产品编号:
NVD5890NT4G-VF01
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述:
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
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